硅(si)常规型偏压光电探测器, 由硅(si)光电二极管 阳极偏压回路, 形成的光导输出模式 光灵敏范围从紫外到近红外, 典型光谱范围覆盖 190nm~1100nmo 偏压光电探测器兼具高响应速度、高线性度和超低噪声的特性, 非常适合监测快速脉冲激光和直流光源。
几乎任何光电二极管都可工作在偏压模式下, 这极大的丰富了产品的多样性和可选性。希望每个光谱开发者都能在多谱选到最合适的光电探测器, 联系我们, 获得专业的的技术支持。
产品参数：
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产品型号
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BOS10A2
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BOS36A2(DP)
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BOS100A2(DP)
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产品特性
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波长范围
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200nm~1100nm
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350nm~1100nm
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190nm~1 100nm
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光敏面尺寸
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Φ1mm
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Φ3.6mm
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Φ10mm
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上升时间 (@50Q)
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1ns
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14ns
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35ns
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带宽(@50
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350MHZ
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25MHZ
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10MHZ
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NEP
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5.0x10-14w/HZ1/2
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1.6x10-14w/HZ1/2
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2.4X10-14W/HZ1/2
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暗电流
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0.3nA(TYP.)/10nA(Max)
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0.35nA(TYP.)/6.0nA(Max)
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0.9nA(TYP.)/10nA(Max)
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结电容
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6PF(TY P.)
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40PF(TY P.)
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150PF(TY P.)
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偏置电压
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10V
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10V
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10V
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输出电流
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0~10mA
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0~10mA
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0~10mA
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环境参数
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供电电池
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A23,12VDC,40mAh
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工作温度
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10~50℃
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存储温度
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 20~70℃
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环境参数
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供电开关
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滑动开关
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电池监测
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瞬时按钮
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信号接口
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BNC母座
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支杆接口
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M4X2
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光学接口
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SM1X1, SM0.5X1
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外观尺寸
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2.79"x 1.96"x0.89"(70.9mmx49.8mmx22.5 mm)
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光敏面深度
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0.09"(2.2mm)
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0.09"(2.2mm)
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0.13"(3.3mm)
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探测器净重
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0.10kg
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欠压指标
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vout ≤9v(Hi-z) vout ≤170mv(50n)
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